C30B15/22 被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制_IPC国际专利分类

分类



分类号	含义

C	化学；冶金

C30	晶体生长

C30B	单晶生长

15/00	熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法

15/20	.控制或调节

15/22	..被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制

	15/24	...使用机械装置，例如成形导模的

	15/26	...使用电视摄像机的；使用光检测器或X射线检测器的

	15/28	...利用晶体或熔体重量变化的，例如浮称法

关于 - 联系我们 - 免责声明