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一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法
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Preparation method for anti-reflection passivation film of single crystalline silicon solar cell

申请号:201710971386.4 申请日:2017-10-18
CN201710971386
CN107863394A
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摘要:本发明公开了一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法,该方法包括以下步骤:清洗单晶硅片;以甲烷和氨气为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积一层氢化氮化碳薄膜;以氢气稀释的硅烷和氨气为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化碳薄膜表面沉积一层氢化氮化硅薄膜;以氢气稀释的硅烷、高纯甲烷和高纯氨气为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积技术在氢化氮化硅薄膜表面制备一层含氢的碳氮化硅薄膜。该方法通过修饰单晶硅表面化学键、调整三层膜中各元素原子浓度比及各层膜厚度,从而提高薄膜钝化效果和减反射特性。
Abstract: The invention discloses a preparation method for an anti-reflection passivation film of a single crystalline silicon solar cell. The method comprises the following steps of cleaning a single crystalline silicon wafer; depositing a layer of hydrogen carbon nitride thin film on a surface of single crystalline silicon by taking methane and ammonia gas as reaction gas and by employing a plasma enhanced chemical vapor deposition technology; depositing a layer of hydrogen silicon nitride thin film on a surface of the hydrogen carbon nitride thin film by taking silane diluted with hydrogen and ammonia gas as reaction gas and by employing the plasma enhanced chemical vapor deposition technology; and preparing a layer of hydrogen-containing carbon silicon nitride thin film on the surface of the hydrogen silicon nitride thin film by taking silane diluted with hydrogen, high-purity methane and high-pure ammonia gas as reaction gas and by employing the plasma enhanced chemical vapor deposition technology. According to the method, a chemical bond on the surface of the single crystalline silicon is modified, the atomic concentration ratio of each element and the film thickness of each layer in three layers of films are adjusted, so that the passivation effect and the anti-reflection characteristic of the thin film are improved.
申请人: 三峡大学
Applicant: UNIV CHINA THREE GORGES CTGU
地址: 443002 湖北省宜昌市大学路********(隐藏)
发明(设计)人: 姜礼华 谭新玉 肖婷 向鹏
Inventor: JIANG LIHUA; TAN XINYU; XIAO TING; XIANG PENG
主分类号: H01L31/0216(2014.01)I
分类号: H01L31/0216(2014.01)I H01L31/18(2006.01)I
  • 法律状态
2019-04-30  授权
2018-04-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0216申请日:20171018
2018-03-30  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法,其特征在于,该方法包括下述步骤:(1)清洗单晶硅片;(2)以高纯甲烷(纯度为99.999%)和高纯氨气(纯度为99.9995%)为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积一层氢化氮化碳薄膜;(3)以氢气稀释体积比为10%的硅烷和高纯氨气(纯度为99.9995%)为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤(2)中所制备的氢化氮化碳薄膜表面沉积一层氢化氮化硅薄膜;(4)以氢气稀释体积比为10%的硅烷、高纯甲烷(纯度为99.999%)和高纯氨气(纯度为99.9995%)为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤(3)中的氢化氮化硅薄膜表面制备一层含氢的碳氮化硅薄膜。
公开号  107863394A
公开日  2018-03-30
专利代理机构  宜昌市三峡专利事务所 42103
代理人  成钢
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201710971386  20171018 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN101205608A  20080625  1-7  全文 
SEA  CN101510576A  20090819  1-7  全文 
SEA  WO2011035090A1  20110324  1-7  全文 
SEA  CN102668102A  20120912  1-7  全文 
SEA  CN203760493U  20140806  1-7  全文 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
SEA  《ELECTRON TECHNOLOGY CONFERENCE 2016 》  Swatowska, B et al.  a-SiCxNy:H thin films for applications in solar cells as passivation and antireflective coatings  1-7  全文 
SWATOWSKA, B ET AL.: "a-SiCxNy:H thin films for applications in solar cells as passivation and antireflective coatings", 《ELECTRON TECHNOLOGY CONFERENCE 2016 》 
SEA  《SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 》  Silva, JA et al.  Silicon carbon nitride films as passivation and antireflective coatings for silicon solar cells  1-7  全文 
SILVA, JA ET AL.: "Silicon carbon nitride films as passivation and antireflective coatings for silicon solar cells", 《SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 》 
SEA  《2009 34TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE》  Kang, MH et al.  Silane-free PECVD silicon carbon nitride (SiCxNy) passivation and anti-reflection coatings for high efficiency silicon solar cells  1-7  1453 
KANG, MH ET AL.: "Silane-free PECVD silicon carbon nitride (SiCxNy) passivation and anti-reflection coatings for high efficiency silicon solar cells", 《2009 34TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE》 
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同族专利
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引用文献
WO2011035090A1CN101205608ACN101510576A
CN102668102ACN203760493U
 
被引用文献
CN109119493A